ZHCS400 Fiches technique(PDF) - Diodes Incorporated

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ZHCS400 Fiches technique (PDF) - Diodes Incorporated

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SOD323 SILICON HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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ZHCS400 Détails du produit

Description and Applications
This compact SOD323 packaged Schottky diode offers users an excellent performance combination comprising high current operation, extremely low leakage and low forward voltage ensuring suitability for applications requiring efficient operation at higher temperatures (above 85°C) see Operational efficiency chart on page 4.
• DC – DC Converters
• Mobile Telecomms
• PCMCIA

Features and Benefits
• Low VF
• High Current Capability (IF = 0.40A)
• Miniature Surface Mount Package
• Low VF, fast switching Schottky
• Package thermally rated to 150°C
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

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À propos de Diodes Incorporated

Diodes Incorporated est une société cotée en bourse qui conçoit, fabrique et fournit un large éventail de semi-conducteurs discrets, analogiques et de signaux mixtes et de solutions de puissance complètes.
L'entreprise a été fondée en 1964 et a son siège à Plano, au Texas.
Il fonctionne à l'échelle mondiale avec des centres de vente, de soutien et de conception en Amérique du Nord, en Europe et en Asie.
Diodes Incorporated dessert une variété d'industries, notamment l'automobile, les communications, l'informatique, le consommateur et l'industrie.
La société propose une large gamme de produits, notamment des diodes, des redresseurs, des transistors, des régulateurs de tension, des MOSFET, des conducteurs LED et des dispositifs de protection, entre autres.
La mission de l'entreprise est de fournir aux clients des produits de haute qualité et de haute fiabilité et un excellent service client.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Diodes Incorporated s'engage à devenir l'un des principaux fournisseurs de solutions de gestion de l'énergie.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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