N0300N Fiches technique(PDF)

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N0300N Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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N0300N Détails du produit

DESCRIPTION
The N0300N is a switching device which can be driven directly by a 4.5 V power source.
The device features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on.

FEATURES
• 4.5 V drive available
• Low on-state resistance
RDS(on)1 = 50 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A)
RDS(on)2 = 83 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 2.0 A)
• Built-in gate protection diode

Numéro de pièce similaire - N0300N

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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Renesas Technology Corp	N0300N	259Kb / 8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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	NP100P04PDG	190Kb / 7P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
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	KPA2790GR	58Kb / 2P	MOS Field Effect Transistor
	2SK3919	45Kb / 1P	MOS Field Effect Transistor
	2SK3635	46Kb / 1P	MOS Field Effect Transistor
	2SJ598	49Kb / 2P	MOS Field Effect Transistor
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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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