FC121 Fiches technique(PDF) - Sanyo Semicon Device

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FC121 Fiches technique (PDF) - Sanyo Semicon Device

FC121 Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device


No de pièce	FC121

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Fabricant	SANYO [Sanyo Semicon Device]

Site Internet	https://www.sanyo-av.com/us/

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PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)

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Fabricant	SANYO [Sanyo Semicon Device]

Site Internet	https://www.sanyo-av.com/us/

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Description	PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)

FC121 Fiches technique (HTML) - Sanyo Semicon Device

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FC121 Détails du produit

Switching Applications (with Bias Resistance)

Features
• On-chip bias resistances (R1=2.2kΩ, R2=10kΩ).
• Composite type with 2 transistors contained in the CP package currently in use, improving the mounting efficiency greatly.
• The FC121 is formed with two chips, being equivalent to the 2SA1502, placed in one package.
• Excellent in thermal equilibrium and pair capability.

Numéro de pièce similaire - FC121

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Positronic.	FC1210P2	952Kb / 16P	SCORPION MODULAR POWER, SIGNAL CONNECTORS Rev A 19/10
	FC1210P2S	952Kb / 16P	SCORPION MODULAR POWER, SIGNAL CONNECTORS Rev A 19/10
	FC1212P2	952Kb / 16P	SCORPION MODULAR POWER, SIGNAL CONNECTORS Rev A 19/10
	FC1212P2S	952Kb / 16P	SCORPION MODULAR POWER, SIGNAL CONNECTORS Rev A 19/10
Amphenol Communications...	FC12150-0	166Kb / 1P	Cable assembly with T812 series connector w/o SR

Description similaire - FC121

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	FC124	36Kb / 2P	NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC125	36Kb / 2P	PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
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	FC129	36Kb / 2P	PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC131	37Kb / 2P	PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC133	44Kb / 2P	PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC135	45Kb / 2P	PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC137	43Kb / 2P	PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC142	46Kb / 2P	PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)

À propos de Sanyo Semicon Device

Sanyo Semiconductor Device Corporation, ou Sanyo Semicon Device, était une filiale de Sanyo Electric Co., Ltd., une société d'électronique japonaise. Le dispositif Sanyo Semicon était un fabricant de dispositifs semi-conducteurs, y compris des diodes, des transistors et d'autres composants pour l'électronique grand public, l'automobile et les applications industrielles. La société a été créée en 1970 et a eu son siège à Osaka, au Japon.

Le dispositif Sanyo Semicon était connu pour ses produits de haute qualité et son engagement à répondre aux besoins de ses clients. L'entreprise s'est concentrée sur la recherche et le développement et a participé au développement de nouvelles technologies et de nouvelles produits pour l'industrie des semi-conducteurs. Les produits de Sanyo Semicon Device ont été largement utilisés dans une variété d'applications et ont aidé à soutenir la croissance de l'industrie de l'électronique.

En 2010, Sanyo Electric a été acquise par Panasonic Corporation, une société mondiale d'électronique de premier plan. En conséquence, Sanyo Semicon Device est devenu une filiale de Panasonic et a été intégrée dans son entreprise de semi-conducteurs. L'acquisition a permis à Panasonic d'élargir son portefeuille de produits et ses offres sur le marché des semi-conducteurs et de renforcer encore sa position dans l'industrie de l'électronique.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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