DSA26 Fiches technique(PDF) - Sanyo Semicon Device

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DSA26 Fiches technique (PDF) - Sanyo Semicon Device

DSA26 Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device


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Fabricant	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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2.6A Power Rectifier?

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Description	2.6A Power Rectifier?

DSA26 Fiches technique (HTML) - Sanyo Semicon Device

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DSA26 Détails du produit

Diffused Junction Type Silicon Diode

Features

• Plastic molded type.

• Glass passivation for high reliability.

• Peak reverse voltage : VRM=200, 600V.

• Average rectified current : IO=2.6A.

Numéro de pièce similaire - DSA26

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	DSA2-12A	35Kb / 2P	Rectifier Diode Avalanche Diode
	DSA2-12A	72Kb / 2P	Rectifi er Diode Avalanche Diode
	DSA2-16A	35Kb / 2P	Rectifier Diode Avalanche Diode
	DSA2-16A	72Kb / 2P	Rectifi er Diode Avalanche Diode
	DSA2-18A	35Kb / 2P	Rectifier Diode Avalanche Diode

Description similaire - DSA26

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Shindengen Electric Mfg...	D3FS4A	732Kb / 11P	Schottky Rectifiers (SBD) (40V 2.6A)
Fairchild Semiconductor	HUF75307T3ST	175Kb / 9P	2.6A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
Fairchild Semiconductor	HUFA75307T3ST	174Kb / 9P	2.6A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
Intersil Corporation	BUZ76A	42Kb / 5P	2.6A, 400V, 2.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET October 1998
Intersil Corporation	HUF75307T3ST	325Kb / 8P	2.6A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET October 1999
International Rectifier	IRFI720G	170Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=2.6A)
Semtech Corporation	2PFT05	112Kb / 4P	RECTIFIER, up to 200V, 2.6A, 25ns
Will Semiconductor Ltd.	WNMD2176	977Kb / 6P	Dual N-Channel, 20V, 2.6A, Power MOSFET
Weidmuller	2580220000	267Kb / 5P	PRO INSTA 30W 12V 2.6A

À propos de Sanyo Semicon Device

Sanyo Semiconductor Device Corporation, ou Sanyo Semicon Device, était une filiale de Sanyo Electric Co., Ltd., une société d'électronique japonaise. Le dispositif Sanyo Semicon était un fabricant de dispositifs semi-conducteurs, y compris des diodes, des transistors et d'autres composants pour l'électronique grand public, l'automobile et les applications industrielles. La société a été créée en 1970 et a eu son siège à Osaka, au Japon.

Le dispositif Sanyo Semicon était connu pour ses produits de haute qualité et son engagement à répondre aux besoins de ses clients. L'entreprise s'est concentrée sur la recherche et le développement et a participé au développement de nouvelles technologies et de nouvelles produits pour l'industrie des semi-conducteurs. Les produits de Sanyo Semicon Device ont été largement utilisés dans une variété d'applications et ont aidé à soutenir la croissance de l'industrie de l'électronique.

En 2010, Sanyo Electric a été acquise par Panasonic Corporation, une société mondiale d'électronique de premier plan. En conséquence, Sanyo Semicon Device est devenu une filiale de Panasonic et a été intégrée dans son entreprise de semi-conducteurs. L'acquisition a permis à Panasonic d'élargir son portefeuille de produits et ses offres sur le marché des semi-conducteurs et de renforcer encore sa position dans l'industrie de l'électronique.

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