D879 Fiches technique(PDF) - Sanyo Semicon Device

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D879 Fiches technique (PDF) - Sanyo Semicon Device

D879 Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device


No de pièce	D879

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Fabricant	SANYO [Sanyo Semicon Device]

Site Internet	https://www.sanyo-av.com/us/

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1.5V, 3V Strobe Applications

D879 Datasheet (PDF)

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No de pièce	D879

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Fabricant	SANYO [Sanyo Semicon Device]

Site Internet	https://www.sanyo-av.com/us/

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Description	1.5V, 3V Strobe Applications

D879 Fiches technique (HTML) - Sanyo Semicon Device

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D879 Détails du produit

· In applications where two NiCd batteries are used to provide 2.4V, two 2SD879s are used.

· The charge time is approximately 1 second faster than that of germanium transistors.

· Less power dissipation because of low Collector-to Emitter Voltage VCE(sat), permitting more flashes of light to be emitted.

· Small package and large allowable collector dissipation (TO-92, PC=750mW).

· Large current capacity and highly resistant to break down.

· Excellent linearity of hFEin the region from low current to high current.

Numéro de pièce similaire - D879

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
PREMIER DEVICES, INC.	D8740150GT	224Kb / 4P	GaAs Power Doubler, 40 - 870MHz, 15.5dB min. Gain @ 870MHz, 375mA max. @ 24VDC
	D8740150GTH	129Kb / 4P	GaAs Power Doubler, 40 - 870MHz, 15.5dB min. Gain @ 870MHz, High, 440mA max. @ 24VDC
	D8740180GT	62Kb / 4P	GaAs Power Doubler, 40 - 870MHz, 18.5dB min. Gain @ 870MHz, 375mA max. @ 24VDC
RF Micro Devices	D8740180GT	264Kb / 3P	GaAs Power Doubler Hybrid 40MHz to 870MHz
PREMIER DEVICES, INC.	D8740180GTH	63Kb / 4P	GaAs Power Doubler, 40 - 870MHz, 18.5dB min. Gain @ 870MHz, High, 440mA max. @ 24VDC

Description similaire - D879

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Sanyo Semicon Device	2SD1620	75Kb / 3P	1.5V,3V Strobe Applications
Sanyo Semicon Device	2SD826	114Kb / 4P	3V,6V Strobe Applications
Toshiba Semiconductor	GT5G131	289Kb / 6P	Strobe Flash Applications
Unisonic Technologies	2SD879	91Kb / 3P	1.5V, 3V STROBE APPLICATIONS
Toshiba Semiconductor	GT8G121	413Kb / 5P	STROBE FLASH APPLICATIONS
Toshiba Semiconductor	2SC5030	146Kb / 5P	Strobe Flash Applications
Unisonic Technologies	2SD879	95Kb / 3P	1.5V, 3V STROBE APPLICATIONS
Sanyo Semicon Device	2SD1620	91Kb / 4P	1.5V, 3V Strobe Applications
Unisonic Technologies	2SD879	98Kb / 2P	1.5V, 3V STROBE APPLICATIONS
Unisonic Technologies	2SD879	99Kb / 3P	1.5V, 3V STROBE APPLICATIONS

À propos de Sanyo Semicon Device

Sanyo Semiconductor Device Corporation, ou Sanyo Semicon Device, était une filiale de Sanyo Electric Co., Ltd., une société d'électronique japonaise. Le dispositif Sanyo Semicon était un fabricant de dispositifs semi-conducteurs, y compris des diodes, des transistors et d'autres composants pour l'électronique grand public, l'automobile et les applications industrielles. La société a été créée en 1970 et a eu son siège à Osaka, au Japon.

Le dispositif Sanyo Semicon était connu pour ses produits de haute qualité et son engagement à répondre aux besoins de ses clients. L'entreprise s'est concentrée sur la recherche et le développement et a participé au développement de nouvelles technologies et de nouvelles produits pour l'industrie des semi-conducteurs. Les produits de Sanyo Semicon Device ont été largement utilisés dans une variété d'applications et ont aidé à soutenir la croissance de l'industrie de l'électronique.

En 2010, Sanyo Electric a été acquise par Panasonic Corporation, une société mondiale d'électronique de premier plan. En conséquence, Sanyo Semicon Device est devenu une filiale de Panasonic et a été intégrée dans son entreprise de semi-conducteurs. L'acquisition a permis à Panasonic d'élargir son portefeuille de produits et ses offres sur le marché des semi-conducteurs et de renforcer encore sa position dans l'industrie de l'électronique.

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