2SA1969 Fiches technique(PDF) - Sanyo Semicon Device

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2SA1969 Fiches technique (PDF) - Sanyo Semicon Device

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No de pièce	2SA1969

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Fabricant	SANYO [Sanyo Semicon Device]

Site Internet	https://www.sanyo-av.com/us/

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Description

High-Frequency Medium-Output Amplifier, Medium-Current Ultrahigh-Speed Switching Applications

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Fabricant	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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Description	High-Frequency Medium-Output Amplifier, Medium-Current Ultrahigh-Speed Switching Applications

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2SA1969 Détails du produit

Features
• High fT (fT=1.7GHz typ).
• Large current capacity (IC=–400mA).

Numéro de pièce similaire - 2SA1969

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Hitachi Semiconductor	2SA1960	29Kb / 7P	Silicon NPN Epitaxial
Panasonic Semiconductor	2SA1961	37Kb / 2P	Silicon PNP epitaxial planer type
Toshiba Semiconductor	2SA1962	150Kb / 2P	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
Toshiba Semiconductor	2SA1962	129Kb / 4P	Power Amplifier Applications
Fairchild Semiconductor	2SA1962	206Kb / 6P	PNP Epitaxial Silicon Transistor

Description similaire - 2SA1969

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Sanyo Semicon Device	2SC5551	43Kb / 5P	High-Frequency Medium-Output Amplifier Applications
Fairchild Semiconductor	KSC1008	39Kb / 4P	Low Frequency Amplifier Medium Speed Switching
List of Unclassifed Man...	2SA708	86Kb / 2P	LOW FREQUENCY AMPLIFIER MEDIUM SPEED SWITCHING
Hitachi Semiconductor	2SC1707	61Kb / 1P	LOW FREQUENCY AMPLIFIER MEDIUM SPEED SWITCHING
Hitachi Semiconductor	2SC1781H	43Kb / 1P	HIGH FREQUENCY AMPLIFIER MEDIUM SPEED SWITCHING
NEC	2SC2721	213Kb / 4P	High Frequency Amplifier, Medium Speed Switching
Sanyo Semicon Device	2SC5551A	82Kb / 4P	High-Frequency Medium-Output Amplifier Applications
	2SC5551A	403Kb / 6P	High-Frequency Medium-Output Amplifier Applications
	2SC5551AF-TD-E	82Kb / 4P	High-Frequency Medium-Output Amplifier Applications
Toshiba Semiconductor	2SB678	90Kb / 1P	LOW FREQUENCY MEDIUM PWOER AMPLIFIER AND MEDIUM SPEED SWITCHING APPLICATIONS

À propos de Sanyo Semicon Device

Sanyo Semiconductor Device Corporation, ou Sanyo Semicon Device, était une filiale de Sanyo Electric Co., Ltd., une société d'électronique japonaise. Le dispositif Sanyo Semicon était un fabricant de dispositifs semi-conducteurs, y compris des diodes, des transistors et d'autres composants pour l'électronique grand public, l'automobile et les applications industrielles. La société a été créée en 1970 et a eu son siège à Osaka, au Japon.

Le dispositif Sanyo Semicon était connu pour ses produits de haute qualité et son engagement à répondre aux besoins de ses clients. L'entreprise s'est concentrée sur la recherche et le développement et a participé au développement de nouvelles technologies et de nouvelles produits pour l'industrie des semi-conducteurs. Les produits de Sanyo Semicon Device ont été largement utilisés dans une variété d'applications et ont aidé à soutenir la croissance de l'industrie de l'électronique.

En 2010, Sanyo Electric a été acquise par Panasonic Corporation, une société mondiale d'électronique de premier plan. En conséquence, Sanyo Semicon Device est devenu une filiale de Panasonic et a été intégrée dans son entreprise de semi-conducteurs. L'acquisition a permis à Panasonic d'élargir son portefeuille de produits et ses offres sur le marché des semi-conducteurs et de renforcer encore sa position dans l'industrie de l'électronique.

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