2N5089 Fiches technique(PDF) - Samsung semiconductor

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2N5089 Fiches technique (PDF) - Samsung semiconductor

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Fabricant	SAMSUNG [Samsung semiconductor]

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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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Fabricant	SAMSUNG [Samsung semiconductor]

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Description	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

2N5089 Fiches technique (HTML) - Samsung semiconductor

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2N5089 Détails du produit

AMPLIFIER TRANSISTOR

• Collector-Emitter Voltage: VCEO=25V
• Collector Dissipation: PC (max)=625mW

Numéro de pièce similaire - 2N5089

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	2N5089	281Kb / 6P	Amplifier Transistor(NPN Silicon) November, 2001 ??Rev. 1
Fairchild Semiconductor	2N5089	98Kb / 7P	NPN General Purpose Amplifier
Micro Electronics	2N5089	191Kb / 2P	PNP/NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS
ON Semiconductor	2N5089	153Kb / 8P	Amplifier Transistors November, 2001 ??Rev. 1
Central Semiconductor C...	2N5089	59Kb / 1P	Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued)

Description similaire - 2N5089

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	BCX70G	34Kb / 1P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Fairchild Semiconductor	BC237	45Kb / 4P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
	BC846	68Kb / 3P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
	FJN3301R	69Kb / 4P	NPN Epitaxial Silicon Transistor
	FJN3307R	37Kb / 4P	NPN Epitaxial Silicon Transistor
	FJN3308R	36Kb / 4P	NPN Epitaxial Silicon Transistor
	FJNS3201R	69Kb / 4P	NPN Epitaxial Silicon Transistor

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