RF2145 Fiches technique(PDF) - RF Micro Devices

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RF2145 Fiches technique (PDF) - RF Micro Devices

RF2145 Datasheet PDF - RF Micro Devices


No de pièce	RF2145

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Fabricant	RFMD [RF Micro Devices]

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DCS1800/1900 POWER AMPLIFIER

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Description	DCS1800/1900 POWER AMPLIFIER

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RF2145 Détails du produit

Product Description
The RF2145 is a high power, high efficiency amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as the final RF amplifier in a 4-cell DCS1800 or DCS1900 handset. The device is packaged in a 16-lead plastic package with wide ground leads, and is self-contained with the exception of the output matching network and power supply feed line. Only a single positive voltage is required to operate with full power and efficiency, and on-board power control and power-down functions are provided.

Features
• Single 4.8V Power Supply
• +32dBm Output Power
• 28dB Small Signal Gain
• 55% Power Added Efficiency
• Power Control
• 1700MHz to 1900MHz Frequency Range

Typical Applications
• 4.8V DCS1800/1900 Handsets
• 3V DECT Handsets and Base Stations
• Commercial and Consumer Systems
• Portable Battery Powered Equipment

Numéro de pièce similaire - RF2145

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
RF Micro Devices	RF2140	176Kb / 12P	3V DCS POWER AMPLIFIER
	RF2140PCBA	176Kb / 12P	3V DCS POWER AMPLIFIER
	RF2146	129Kb / 8P	PCS LINEAR POWER AMPLIFIER
	RF2146PCBA	129Kb / 8P	PCS LINEAR POWER AMPLIFIER

Description similaire - RF2145

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Mitsubishi Electric Sem...	MA1078-2	23Kb / 1P	For DCS1800 - 20W Power Amplifier
Mitsubishi Electric Sem...	MA1100-1	23Kb / 1P	For DCS1800 - 30W Power Amplifier
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Motorola, Inc	MRFIC1818	216Kb / 8P	1700-1900 MHz MMIC DCS1800/PCS1900 INTEGRATED POWER AMPLIFIER GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
Renesas Technology Corp	E2081606_PF08127B	183Kb / 16P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone
Renesas Technology Corp	PF08134B	123Kb / 14P	MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone
Skyworks Solutions Inc.	AP119-89	35Kb / 4P	GaAs IC DCS 1800/1900 Power Amplifier
Skyworks Solutions Inc.	RM009	296Kb / 17P	Power Amplifier Module for Dual-band GSM900 DCS1800
Renesas Technology Corp	PF08127	140Kb / 18P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone Oct. 2002
Renesas Technology Corp	PF08134	138Kb / 16P	MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone May 13, 2004

À propos de RF Micro Devices

RF Micro Devices (RFMD) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de composants et de solutions de radiofréquence (RF) pour les communications sans fil. La société a été fondée en 1991 et a eu son siège social à Greensboro, en Caroline du Nord. RFMD a fourni une large gamme de produits, notamment des amplificateurs de puissance, des émetteurs-récepteurs, des filtres et d'autres composants RF qui ont été utilisés dans les appareils mobiles, les modules Wi-Fi et Bluetooth et d'autres systèmes sans fil.

RFMD était connu pour son expertise dans la technologie RF et sa capacité à fournir des produits innovants et hautes performances. L'entreprise s'est fortement concentrée sur la recherche et le développement et a été activement impliquée dans le développement de nouvelles technologies et solutions pour l'industrie sans fil. Les produits de RFMD ont été largement utilisés dans une variété d'applications et ont aidé à soutenir la croissance de l'industrie sans fil.

En 2015, RFMD a été acquise par Skyworks Solutions, Inc., l'un des principaux fournisseurs de semi-conducteurs analogiques à haute performance. L'acquisition a permis à Skyworks d'étendre son portefeuille de produits et ses offres sur le marché RF et de renforcer encore sa position dans l'industrie sans fil.

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