FIO50-12BD Fiches technique(PDF) - IXYS Corporation

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FIO50-12BD Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

FIO50-12BD Datasheet PDF - IXYS Corporation


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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

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Bidirectional Switch with NPT3 IGBT and fast Diode Bridge

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Description	Bidirectional Switch with NPT3 IGBT and fast Diode Bridge

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FIO50-12BD Détails du produit

Bidirectional Switch with NPT3 IGBT and fast Diode Bridge in ISOPLUS i4-PACTM

Features
• NPT3 IGBT
    - low saturation voltage
    - positive temperature coefficient for easy paralleling
    - fast switching
    - short tail current for optimized performance in resonant circuits
• HiPerFREDTM diodes
    - fast reverse recovery
    - low operating forward voltage
    - low leakage current
• ISOPLUS i4-PACTM package
    - isolated back surface
    - low coupling capacity between pins and heatsink
    - enlarged creepage towards heatsink
    - application friendly pinout
    - low inductive current path
    - high reliability
    - industry standard outline
    - UL registered, E 72873

Applications
switches to control bidirectional current flow by a single control signal:
• matrix converters
• spare matrix converters
• AC controllers

Numéro de pièce similaire - FIO50-12BD

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Schurter Inc.	FIO	398Kb / 2P	Shock-Safe Fuseholder, 5 x 20 mm, Slot, IP 40 / IP 65
Schurter Inc.	FIO	314Kb / 4P	Shock-Safe Fuseholder, 5 x 20 mm, Slotted Cap, IP 40 / IP 65 15.09.2021
AG Electronica	FIO-01	681Kb / 7P	ARDUINO FIO V3 COMPATIBLE CON XBEE OEM. 06/11/2018
Schurter Inc.	FIO	314Kb / 4P	Shock-Safe Fuseholder, 5 x 20 mm, Slotted Cap, IP 40 / IP 65 15.09.2021

Description similaire - FIO50-12BD

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXER60N120	54Kb / 2P	NPT3 IGBT
	IXER35N120D1	52Kb / 2P	NPT3 IGBT with Diode
	FID50-12BD	68Kb / 2P	Bidirectional Switch with IGBT and fast Diode Bridge
	FII30-12E	72Kb / 4P	NPT3 IGBT
	IXEH40N120	81Kb / 4P	NPT3 IGBT
	IXEN60N120	97Kb / 4P	NPT3 IGBT in miniBLOC package
	IXEH25N120	182Kb / 4P	NPT3 IGBT
	IXER20N120	364Kb / 4P	NPT3 IGBT in ISOPLUS247
	IXER35N120D1	243Kb / 4P	NPT3 IGBT with Diode in ISOPLUS247
	IXER60N120	268Kb / 4P	NPT3 IGBT in ISOPLUS 247

À propos de IXYS Corporation

Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

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