BUL642D2 Fiches technique(PDF) - ON Semiconductor

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BUL642D2 Fiches technique (PDF) - ON Semiconductor

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No de pièce	BUL642D2

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Fabricant	ONSEMI [ON Semiconductor]

Site Internet	http://www.onsemi.com

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High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Integrated Collector?묮mitter and Built?뭝n Efficient Antisaturation Network

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Fabricant	ONSEMI [ON Semiconductor]

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Description	High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Integrated Collector?묮mitter and Built?뭝n Efficient Antisaturation Network

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BUL642D2 Détails du produit

The BUL642D2 is a state−of−the−art High Speed High Gain Bipolar Transistor (H2BIP). Tight dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (150 ns on storage time) make it ideally suitable for Light Ballast Application. A new development process brings avalanche energy capability, making the device extremely rugged.

Features
• Low Base Drive Requirement
• High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 300 mA/5 V
• Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the H2BIP Structure which Minimizes the Spread
• Integrated Collector−Emitter Free Wheeling Diode
• Fully Characterized Dynamic VCEsat
• “Six Sigma” Process Providing Tight and Reproducible Parameter Spreads
• Avalanche Energy 20 mJ Typical Capability
• Pb−Free Package is Available*

Numéro de pièce similaire - BUL642D2

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Seme LAB	BUL64A	19Kb / 2P	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Inchange Semiconductor ...	BUL64A	272Kb / 2P	Silicon NPN Power Transistor
Seme LAB	BUL64B	19Kb / 2P	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Inchange Semiconductor ...	BUL64B	273Kb / 2P	Silicon NPN Power Transistor

Description similaire - BUL642D2

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Siemens Semiconductor G...	BC368	125Kb / 4P	NPN Silicon AF Transistor (High current gain High collector current)
Siemens Semiconductor G...	BC517	138Kb / 4P	NPN Silicon Darlington Transistor (High current gain High collector current)
Agilent(Hewlett-Packard...	HBFP0420	85Kb / 10P	High Performance Isolated Collector Silicon Bipolar Transistor
ON Semiconductor	BUD42D	193Kb / 14P	High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability August, 2003 ??Rev. 2
List of Unclassifed Man...	HBFP0405	85Kb / 10P	High Performance Isolated Collector Silicon Bipolar Transistor
Diodes Incorporated	ZXTN26020DMF	141Kb / 6P	HIGH GAIN, LOW VCE(SAT) NPN BIPOLAR TRANSISTOR DS31953 Rev. 2 - 1
ON Semiconductor	BUD42D	184Kb / 12P	High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor January, 2011 ??Rev. 5
ON Semiconductor	BUL45D2G	248Kb / 11P	High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor April, 2010 ??Rev. 5
Diodes Incorporated	ZXTN26020DMF	141Kb / 6P	HIGH GAIN, LOW VCE(SAT) NPN BIPOLAR TRANSISTOR Rev 2
ON Semiconductor	BUL45D2	227Kb / 11P	High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor November, 2014 ??Rev. 8

À propos de ON Semiconductor

ON Semiconductor est une entreprise cotée en bourse qui conçoit, développe et fabrique une large gamme de produits semi-conducteurs pour une variété d'applications, notamment les marchés automobiles, informatiques, biens de consommation, industriels et communications.
La société a été fondée en 1999 et a son siège à Phoenix, en Arizona.
On Semiconductor offre un large portefeuille de gestion de l'énergie, des semi-conducteurs analogiques et discrets, notamment des MOSFET de puissance, des diodes, des redresseurs, des régulateurs de tension, entre autres.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour être économes en énergie, fiables et rentables et sont utilisés dans une variété d'applications, notamment l'électronique portable, les systèmes d'automatisation industrielle, les systèmes d'énergie renouvelable et l'électronique automobile.
On Semiconductor s'engage dans l'innovation et la satisfaction des clients, et s'engage à fournir les meilleures solutions de semi-conducteurs pour répondre aux besoins de nos clients.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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