GC9983 Fiches technique(PDF) - Microsemi Corporation

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GC9983 Fiches technique (PDF) - Microsemi Corporation

GC9983 Datasheet PDF - Microsemi Corporation


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Fabricant	MICROSEMI [Microsemi Corporation]

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Schottky Barrier Diodes TM Ultra High Drive Monolithic

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Description	Schottky Barrier Diodes TM Ultra High Drive Monolithic

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GC9983 Détails du produit

DESCRIPTION
Microsemi’s Schottky Barrier devices are currently available in the eight junction ring quad configuration. Devices are available in monolithic form for hybrid applications as well as in hermetic or non-hermetic packages. Monolithic devices are recommended for highest frequency, broadband designs. The beamlead design eliminates the problems associated with wire bonding very small junction devices thus improving reliability and performance in MIC applications.

KEY FEATURES
◾ Monolithic Design for Lowest Parasitics and Matched Junction Characteristics
◾ Low Noise Figure
◾ Suitable for Applications to 26.5 GHz
◾ Excellent Conversion Loss
◾ Available High and Ultra-High Barrier Heights
◾ Can be Supplied as Monolithic Devices for Hybrid Applications or as Packaged Devices
◾ RoHS Compliant1

APPLICATIONS/BENEFITS
◾ RF Mixers
◾ Double Balanced Mixers
◾ High Speed Switching
◾ Motion Detection
◾ Phase Detectors

Numéro de pièce similaire - GC9983

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Microsemi Corporation	GC9901	215Kb / 6P	Schottky Barrier Diodes TM For Mixers and Detectors
	GC9902	215Kb / 6P	Schottky Barrier Diodes TM For Mixers and Detectors
	GC9903	215Kb / 6P	Schottky Barrier Diodes TM For Mixers and Detectors
	GC9904	215Kb / 6P	Schottky Barrier Diodes TM For Mixers and Detectors
	GC9911	215Kb / 6P	Schottky Barrier Diodes TM For Mixers and Detectors

Description similaire - GC9983

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Microsemi Corporation	GC9700	130Kb / 2P	SCHOTTKY BARRIER DIODES General Purpose TM
	GC9901	215Kb / 6P	Schottky Barrier Diodes TM For Mixers and Detectors
	MS8250-48	140Kb / 2P	SCHOTTKY DIODES TM Silicon Low Barrier
Semikron International	SBH1220	346Kb / 2P	High temperature schottky barrier diodes
	SBH1820	357Kb / 2P	High temperature schottky barrier diodes
	SBH3020	159Kb / 3P	High temperature schottky barrier diodes
	SBH3020TL	320Kb / 2P	High temperature schottky barrier diodes
Diotec Semiconductor	SB12H30	103Kb / 2P	High temperature schottky barrier diodes
AiT Semiconductor Inc.	B0520W	531Kb / 5P	SCHOTTKY DIODES SCHOTTKY BARRIER DIODES REV1.0
AiT Semiconductor Inc.	B0520WS	522Kb / 4P	SCHOTTKY DIODES SCHOTTKY BARRIER DIODES REV1.0

À propos de Microsemi Corporation

Microsemi Corporation était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de solutions de semi-conducteurs et de systèmes.
La société a été fondée en 1960 et a eu son siège à Aliso Viejo, en Californie.
Microsemi a fourni une large gamme de produits, notamment des circuits intégrés analogiques et de signaux mixtes, des réseaux de portes programmables sur le terrain (FPGA), des produits de gestion et de contrôle de l'alimentation et d'autres solutions de semi-conducteurs.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que la défense et la sécurité, l'aérospatiale et l'aviation, l'industrie et les communications.
Microsemi était connu pour son expertise dans la technologie des semi-conducteurs et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2018, Microsemi a été acquis par Microchip Technology, un principal fournisseur de produits de microcontrôleur, de signal mixte, analogique et de sécurité.
La marque Microsemi n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille de Microchip.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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