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HFP830 Fiches technique (PDF) - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD
HFP830 Datasheet PDF - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD
No de pièce HFP830
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Taille du fichier   398.35 Kbytes
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Fabricant  HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD]
Site Internet  http://www.huashan.com.cn
Logo HUASHAN - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD
Description N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

HFP830 Datasheet (PDF)

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HFP830 Datasheet PDF - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

No de pièce HFP830
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Fabricant  HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD]
Site Internet  http://www.huashan.com.cn
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Description N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

HFP830 Fiches technique (HTML) - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD


HFP830 Détails du produit

General Description
This Power MOSFET is produced using planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited for half bridge and full bridge resonant topolgy like a electronic lamp ballast.

Features
• 4.5A, 500V, RDS(on) = 1.5Ω@VGS = 10 V
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
• Equivalent Type:IRF830




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