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RJK03C2DPB-00-J5 Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp
RJK03C2DPB-00-J5 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
No de pièce RJK03C2DPB-00-J5
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Taille du fichier   269.4 Kbytes
Page   7 Pages
Fabricant  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Site Internet  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Description Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

RJK03C2DPB-00-J5 Datasheet (PDF)

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RJK03C2DPB-00-J5 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

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Fabricant  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Site Internet  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Description Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

RJK03C2DPB-00-J5 Fiches technique (HTML) - Renesas Technology Corp


RJK03C2DPB-00-J5 Détails du produit

Features
• High speed switching
• Capable of 4.5 V gate drive
• Low drive current
• High density mounting
• Low on-resistance
   RDS(on) = 1.9 mΩ typ. (at VGS = 10 V)
• Pb-free
• Halogen-free




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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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