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GT60M302 Fiches technique (PDF) - Toshiba Semiconductor
GT60M302 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor
No de pièce GT60M302
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Taille du fichier   275.97 Kbytes
Page   5 Pages
Fabricant  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Site Internet  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
Logo TOSHIBA - Toshiba Semiconductor
Description N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)

GT60M302 Datasheet (PDF)

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GT60M302 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor

No de pièce GT60M302
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Fabricant  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Site Internet  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
Logo TOSHIBA - Toshiba Semiconductor
Description N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)

GT60M302 Fiches technique (HTML) - Toshiba Semiconductor


GT60M302 Détails du produit

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 :
http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429

* GT30G124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C  :  430V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A



* GT30J124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C  :  600V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

Applications and Features : Plasma display panels




Numéro de pièce similaire - GT60M302

FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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Toshiba Semiconductor		 GT60M302 TOSHIBA-GT60M302 Datasheet
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197Kb / 3P		 N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCHING APPLICATIONS)
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