GT20G102 Fiches technique(PDF) - Toshiba Semiconductor

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GT20G102 Fiches technique (PDF) - Toshiba Semiconductor

GT20G102 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor


No de pièce	GT20G102

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Fabricant	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

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N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)

GT20G102 Datasheet (PDF)

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Fabricant	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

Site Internet	http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng

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Description	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)

GT20G102 Fiches technique (HTML) - Toshiba Semiconductor

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GT20G102 Détails du produit

STROBE FLASH APPLICATIONS

● High Input Impedance
● Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 8.0V (Max.) (IC = 130A)
● Enhancement−Mode
● 12V Gate Drive

Numéro de pièce similaire - GT20G102

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Toshiba Semiconductor	GT20G102	835Kb / 16P	Discrete IGBTs
Toshiba Semiconductor	GT20G102SM	179Kb / 3P	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)

Description similaire - GT20G102

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Toshiba Semiconductor	GT15G101	200Kb / 3P	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
	GT20G101	179Kb / 3P	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
	GT20G101SM	177Kb / 3P	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
	GT20G102SM	179Kb / 3P	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
	GT25G101	194Kb / 4P	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
	GT25G101SM	182Kb / 3P	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
	GT25G102	183Kb / 3P	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) 28-Sep-1998
	GT25G102SM	181Kb / 3P	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) 28-Sep-1998
	GT8G134	207Kb / 7P	Silicon N Channel IGBT Strobe Flash Applications
	GT8G136	207Kb / 6P	Silicon N Channel IGBT Strobe Flash Applications

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