1SS250 Fiches technique(PDF) - Toshiba Semiconductor

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1SS250 Fiches technique (PDF) - Toshiba Semiconductor

1SS250 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor


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Fabricant	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

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DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS)

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Fabricant	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

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1SS250 Fiches technique (HTML) - Toshiba Semiconductor

1SS250 Datasheet HTML 1Page - Toshiba Semiconductor

1SS250 Datasheet HTML 2Page - Toshiba Semiconductor

1SS250 Détails du produit

Ultra High Speed Switching Application

● Low forward voltage : VF (2) = 0.90V (typ.)
● Fast reverse recovery time: trr = 60ns (max)
● Small total capacitance : CT = 1.5pF (typ.)
● Small package : SC−59

Numéro de pièce similaire - 1SS250

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Toshiba Semiconductor	1SS250TE85L	185Kb / 3P	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
Toshiba Semiconductor	1SS250	204Kb / 3P	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

Description similaire - 1SS250

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Toshiba Semiconductor	1SS181	130Kb / 2P	DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS)
	1SS302	126Kb / 2P	DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS)
	1SS360F	121Kb / 3P	DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS)
	1SS401	107Kb / 2P	DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS)
	1SS402	112Kb / 2P	DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS)
	HN1D01F	125Kb / 2P	DIODE (ULTRAL HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS)
	HN1D01FU	129Kb / 2P	DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS)
	HN1D02FU	129Kb / 2P	DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS)
	HN1D03FU	169Kb / 4P	DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS)
	HN2D01F	118Kb / 2P	DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS)

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