2SC5606 Fiches technique(PDF) - NEC

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2SC5606 Fiches technique (PDF) - NEC

2SC5606 Datasheet PDF - NEC


No de pièce	2SC5606

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Fabricant	NEC [NEC]

Site Internet	http://www.nec.com/

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Description

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)

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Fabricant	NEC [NEC]

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Description	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)

2SC5606 Fiches technique (HTML) - NEC

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Numéro de pièce similaire - 2SC5606

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NEC	2SC5606	68Kb / 6P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD
Renesas Technology Corp	2SC5606	201Kb / 9P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
California Eastern Labs	2SC5606	329Kb / 6P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)
Renesas Technology Corp	2SC5606-A	201Kb / 9P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
California Eastern Labs	2SC5606-A	329Kb / 6P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)

Description similaire - 2SC5606

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NEC	2SC5606	68Kb / 6P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD
	NESG2021M16	120Kb / 12P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
	NESG2031M16	119Kb / 12P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
	NESG4030M14	112Kb / 10P	NPN SiGe:C RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG)
Renesas Technology Corp	2SC4226-T1-A	149Kb / 8P	NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold
California Eastern Labs	NESG2021M16	861Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
	NE66219	329Kb / 6P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)
	NESG210719	1Mb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)
Renesas Technology Corp	2SC4227	202Kb / 9P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD
Renesas Technology Corp	2SC4228	202Kb / 9P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN SUPER MINIMOLD

À propos de NEC

NEC Corporation est une société japonaise de technologies de l'information et d'électronique. La société a été fondée en 1899 et a son siège à Tokyo, au Japon. NEC fournit une large gamme de produits et services, notamment les technologies de l'information, les télécommunications et l'électronique. Son portefeuille comprend du matériel informatique, des logiciels et des services, des solutions réseau, des solutions d'affichage et des serveurs d'entreprise et des solutions de stockage.

NEC est connue pour son expertise dans le domaine des technologies de l'information et sa capacité à fournir des produits et services innovants et de haute qualité. La société a des opérations et des installations dans divers pays à travers le monde et a une forte présence dans la région Asie-Pacifique. NEC travaille en étroite collaboration avec ses clients pour fournir des solutions personnalisées qui répondent à leurs besoins et besoins spécifiques.

En plus de son cœur de métier, NEC est également actif dans les domaines de la recherche et du développement et est impliqué dans divers projets liés à des technologies avancées telles que l'intelligence artificielle, les réseaux 5G et l'Internet des objets (IoT). NEC s'engage à fournir des solutions durables qui soutiennent le développement de la société et améliorent la qualité de vie des personnes du monde entier.

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