1SS373WT Fiches technique(PDF)

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1SS373WT Fiches technique (PDF) - SEMTECH ELECTRONICS LTD.

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SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE

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1SS373WT Détails du produit

PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR

These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications

Numéro de pièce similaire - 1SS373WT

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Toshiba Semiconductor	1SS373	121Kb / 2P	DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION)
Guangdong Kexin Industr...	1SS373	31Kb / 1P	HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION
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Zibo Seno Electronic En...	1SS388	204Kb / 3P	SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE
Toshiba Semiconductor	CTS05S40	159Kb / 5P	Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial
	CUHS15F60	249Kb / 5P	Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial
	CUHS15S60	249Kb / 5P	Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial
	CUHS20F30	253Kb / 5P	Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial
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À propos de SEMTECH ELECTRONICS LTD.

Semtech Corporation est une société de technologie américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs analogiques et de signaux mixtes.

L'entreprise a été fondée en 1960 et a son siège social à Camarillo, en Californie.

Semtech fournit une large gamme de produits à utiliser dans les applications de communication, informatique, industrielle et grand public.

L'entreprise est connue pour sa technologie innovante et ses produits de haute qualité, et elle a une forte réputation dans l'industrie des semi-conducteurs.

Semtech opère à l'échelle mondiale et est présente dans de nombreux pays du monde, servant des clients dans une variété d'industries.

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