TSHA520 Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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TSHA520 Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

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No de pièce	TSHA520

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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GaAlAs Infrared Emitting Diodes in ø 5 mm (T–13/4) Package

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

Site Internet	http://www.vishay.com

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Description	GaAlAs Infrared Emitting Diodes in ø 5 mm (T–13/4) Package

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TSHA520 Détails du produit

Description
The TSHA520. series are high efficiency infrared emitting diodes in GaAlAs on GaAlAs technology, molded in a clear, untinted plastic package.
In comparison with the standard GaAs on GaAs technology these high intensity emitters feature about 70 % radiant power improvement.

Features
● Extra high radiant power and radiant intensity
● Suitable for high pulse current operation
● Standard T–1 (ø 5 mm) package
● Angle of half intensity ϕ = ± 12
● Peak wavelength p = 875 nm
● High reliability
● Good spectral matching to Si photodetectors

Applications
Infrared remote control and free air transmission systems with high power and long transmission distance requirements in combination with PIN photodiodes or phototransistors.
Because of the reduced radiance absorption in glass at the wavelength of 875 nm, this emitter series is also suitable for systems with panes in the transmission range between emitter and detector.

Numéro de pièce similaire - TSHA520

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	TSHA5200	122Kb / 6P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs Rev. 1.7, 05-Sep-08
	TSHA5200	114Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs Rev. 1.9, 29-Jun-09
	TSHA5200	107Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs Rev. 2.0, 24-Aug-11
	TSHA5200	105Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 01-Jan-2022
	TSHA5200	105Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 01-Jan-2023

Description similaire - TSHA520

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	TSHA620	87Kb / 6P	GaAlAs Infrared Emitting Diodes in ø 5 mm (T–13/4) Package Rev. 2, 20-May-99
	TSHA440	83Kb / 5P	GaAlAs Infrared Emitting Diodes in ø 3 mm (T–1) Package Rev. 2, 20-May-99
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	TSUS520	86Kb / 6P	GaAs Infrared Emitting Diodes in ø 5 mm (T–1 3/4) Package Rev. 2, 20-May-99
	TSPF5400	85Kb / 6P	High Speed IR Emitting Diode in ø 5 mm (T–13/4) Package Rev. 2, 20-May-99
	TSHF5400	84Kb / 6P	High Speed IR Emitting Diode in ø 5 mm (T–13/4) Package Rev. 7, 02-Aug-99
	TSFF5400	86Kb / 6P	High Speed IR Emitting Diode in ø 5 mm (T–13/4) Package Rev. 5, 29-Jun-99
	TSAL7400	76Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package Rev. 3, 20-May-99
	TSAL6200	82Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package Rev. 6, 20-May-99

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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