TSAL5100 Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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TSAL5100 Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

TSAL5100 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


No de pièce	TSAL5100

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

Site Internet	http://www.vishay.com

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High Power Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAlAs/GaAs

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Description	High Power Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAlAs/GaAs

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TSAL5100 Détails du produit

DESCRIPTION
TSAL5100 is an infrared, 940 nm emitting diode in GaAlAs/GaAs technology with high radiant power, molded in a blue-gray plastic package.

FEATURES
• Package type: leaded
• Package form: T-1¾
• Dimensions (in mm): ∅ 5
• Leads with stand-off
• Peak wavelength: λp = 940 nm
• High reliability
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: ϕ = ± 10°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

APPLICATIONS
• Infrared remote control units with high power reqirements
• Free air transmission systems
• Infrared source for optical counters and card readers
• IR source for smoke detectors
• Smoke-automatic fire detectors

Numéro de pièce similaire - TSAL5100

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	TSAL5100	111Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs Rev. 1.5, 04-Sep-08
	TSAL5100	113Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs Rev. 1.6, 29-Jun-09
	TSAL5100	101Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs 02-Oct-12
	TSAL5100	111Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs Rev. 1.5, 04-Sep-08
	TSAL5100	113Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs Rev. 1.6, 29-Jun-09

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	TSML1000	353Kb / 10P	High Power Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAlAs/GaAs Rev. 1.8, 08-Mar-05
	TSUS4300	110Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs Rev. 1.9, 20-Oct-15
	TSKS5400	144Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs Rev. 2.4, 03-Sep-13
	CQY37N	281Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 01-Jan-2022
	TSUS5200	112Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs Rev. 2.2, 29-Jun-09
	TSUS6202	109Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs Rev. 1.0, 29-Sep-15
	TSUS5200	109Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs Rev. 2.3, 24-Aug-11
	TSUS4400	113Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 01-Jan-2021

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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