TSAL4400 Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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TSAL4400 Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

TSAL4400 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


No de pièce	TSAL4400

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰3 mm (T.1) Package

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Description	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰3 mm (T.1) Package

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TSAL4400 Détails du produit

DESCRIPTION
TSAL4400 is an infrared, 940 nm emitting diode in GaAlAs, MQW technology with high radiant power molded in a blue-gray plastic package.

FEATURES
• Package type: leaded
• Package form: T-1
• Dimensions (in mm): Ø 3
• Peak wavelength: λp = 940 nm
• High reliability
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: ϕ = ± 25°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Package matches with detector TEFT4300
• Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS
• Infrared remote control units
• Free air transmission systems
• Infrared source for optical counters and card readers

Numéro de pièce similaire - TSAL4400

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	TSAL4400	110Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs 16-Sep-08
	TSAL4400	114Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 03-Nov-16
	TSAL4400	112Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 03-Nov-16
	TSAL4400	112Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 03-Nov-16
	TSAL4400-RSZ	112Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 03-Nov-16

Description similaire - TSAL4400

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	TSAL6100	82Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
	TSAL6200	82Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
	TSAL6400	76Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
	TSAL7200	82Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
	TSAL7300	83Kb / 6P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
	TSAL7400	76Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
	TSAL7600	80Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
Unity Opto Technology	MIE-304L3	32Kb / 2P	GaAlAs T-1 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
Unity Opto Technology	MIE-324L3	32Kb / 2P	GaAlAs T-1 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
TEMIC Semiconductors	TSIL6400	111Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diodes in 첩 5 mm Package

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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