VB20150C Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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VB20150C Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

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No de pièce	VB20150C

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

Site Internet	http://www.vishay.com

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

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No de pièce	VB20150C

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Description	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

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VB20150C Détails du produit

Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.

Numéro de pièce similaire - VB20150C

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	VB20150C	161Kb / 6P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 20-Nov-12
	VB20150C-E3	161Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 13-Dec-16
	VB20150C-E3	218Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 18-Jun-2018
Inchange Semiconductor ...	VB20150C-E3	314Kb / 2P	Schotty Barrier Diode
Vishay Siliconix	VB20150C-E3/4W	163Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09

Description similaire - VB20150C

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	V40100G	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 19-May-08
	V40100PG	106Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.420 V at IF = 5 A 26-May-08
	V50100P	103Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.375 V at IF = 5 A 26-May-08
	V60200PG	104Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-Oct-08
	V10150S	156Kb / 5P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 13-Aug-13
	VB10150S-M3	86Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5.0 A 30-Aug-13
	V20150C-E3	161Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 13-Dec-16
	VB20150C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5.0 A 30-Aug-13

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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