V20150S Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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V20150S Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

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No de pièce	V20150S

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

Site Internet	http://www.vishay.com

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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

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Description	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

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V20150S Détails du produit

FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reserve battery protection.

Numéro de pièce similaire - V20150S

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	V20150S	131Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Mar-11
	V20150S	163Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	V20150S	152Kb / 6P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 13-Aug-13
	V20150S	142Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 09-Nov-17
	V20150S-E3	152Kb / 6P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 13-Aug-13

Description similaire - V20150S

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	V10150S	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 19-May-08
	V30120S	165Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 19-May-08
	V40150C	168Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 19-May-08
	VB20150S-M3	89Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5.0 A 30-Jun-14
	V20M120C	141Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 13-Dec-16
	V30M120M-E3	100Kb / 4P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 11-May-16
	V40M150C-M3	128Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 10-May-16
	VB20M120C-E3	92Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 03-Jan-17
	VF20M120C-M3	91Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 02-Dec-13
	V40150C-E3	157Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 13-Dec-16

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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