HFA30PA60C Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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HFA30PA60C Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

HFA30PA60C Datasheet PDF - Vishay Siliconix


No de pièce	HFA30PA60C

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Taille du fichier	214.1 Kbytes

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

Site Internet	http://www.vishay.com

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Ultrafast Soft Recovery Diode, 2 x 15 A

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Description	Ultrafast Soft Recovery Diode, 2 x 15 A

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HFA30PA60C Détails du produit

DESCRIPTION
HFA30PA60C is a state of the art center tap ultrafast recovery diode. Employing the latest in epitaxial construction and advanced processing techniques it features a superb combination of characteristics which result in performance which is unsurpassed by any rectifier previously available. With basic ratings of 600 V and 15 A per leg continuous current, the HFA30PA60C is especially well suited for use as the companion diode for IGBTs and MOSFETs. In addition to ultrafast recovery time, the HEXFRED® product line features extremely low values of peak recovery current (IRRM) and does not exhibit any tendency to “snap-off” during the tb portion of recovery.

FEATURES
• Ultrafast recovery
• Ultrasoft recovery
• Very low IRRM
• Very low Qrr
• Specified at operating conditions
• Lead (Pb)-free
• Designed and qualified for industrial level

BENEFITS
• Reduced RFI and EMI
• Reduced power loss in diode and switching transistor
• Higher frequency operation
• Reduced snubbing
• Reduced parts count

Numéro de pièce similaire - HFA30PA60C

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	HFA30PA60C	185Kb / 6P	Ultrafast, Soft Recovery Diode
Vishay Siliconix	HFA30PA60C	211Kb / 7P	Ultrafast Soft Recovery Diode, 2 x 15 A 29-Jul-08
Thinki Semiconductor Co...	HFA30PA60C	5Mb / 2P	30Amperes,600Volts Heatsink Common Cathode Ultra Fast Recovery Rectifiers
Inchange Semiconductor ...	HFA30PA60C	413Kb / 2P	Ultrafast Rectifier
International Rectifier	HFA30PA60CPBF	239Kb / 6P	Ultrafast Soft Recovery Dioe

Description similaire - HFA30PA60C

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	HFA30PA60C	211Kb / 7P	Ultrafast Soft Recovery Diode, 2 x 15 A 29-Jul-08
	HFA30TA60C	205Kb / 6P	Ultrafast Soft Recovery Diode, 2 x 15 A 29-Jul-08
	HFA30TA60CPBF	207Kb / 6P	Ultrafast Soft Recovery Diode, 2 x 15 A 25-Jul-08
	HFA30TA60CS	180Kb / 6P	Ultrafast Soft Recovery Diode, 2 x 15 A 22-Oct-08
	HFA30TA60CSPBF	182Kb / 6P	Ultrafast Soft Recovery Diode, 2 x 15 A 22-Oct-08
	HFA30PA60CPBF	186Kb / 8P	HEXFRED Ultrafast Soft Recovery Diode, 2 x 15 A 23-May-11
	HFA30TA60CSPBF	208Kb / 8P	HEXFRED Ultrafast Soft Recovery Diode, 2 x 15 A 22-Feb-10
Nell Semiconductor Co.,...	N-HFA30PA60C	1Mb / 6P	FRED Ultrafast Soft Recovery Diode, 2 x 15 A
Vishay Siliconix	VS-HFA30TA60C-M3	205Kb / 7P	HEXFRED® Ultrafast Soft Recovery Diode, 2 x 15 A 16-Dec-2021
Vishay Siliconix	VS-HFA30TA60CS-M3	212Kb / 8P	HEXFRED® , Ultrafast Soft Recovery Diode, 2 x 15 A 16-Dec-2021

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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