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STV80NE03L-06 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STV80NE03L-06 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STV80NE03L-06
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Taille du fichier   91.96 Kbytes
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N - CHANNEL 30V - 0.005ohm - 80A - PowerSO-10 STripFET MOSFET

STV80NE03L-06 Datasheet (PDF)

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STV80NE03L-06 Datasheet PDF - STMicroelectronics

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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
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Description N - CHANNEL 30V - 0.005ohm - 80A - PowerSO-10 STripFET MOSFET

STV80NE03L-06 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STV80NE03L-06 Détails du produit

DESCRIPTION
This Power Mosfet is the latest development of STMicroelectronics unique ”Single Feature Size™” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.005 Ω
■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
■ 100% AVALANCHE TESTED
■ LOW GATE CHARGE 100 °C
■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS
■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS
■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION, ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc. )




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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