3SK296 Fiches technique(PDF)

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3SK296 Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

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Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

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3SK296 Détails du produit

Features
• Low noise figure.
NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz
• Capable of low voltage operation

Application
UHF RF amplifier

Numéro de pièce similaire - 3SK296

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Hitachi Semiconductor	3SK296	50Kb / 9P	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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