2SK2912 Fiches technique(PDF)

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2SK2912 Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

2SK2912 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


No de pièce	2SK2912

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Fabricant	RENESAS [Renesas Technology Corp]

Site Internet	http://www.renesas.com

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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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Fabricant	RENESAS [Renesas Technology Corp]

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Description	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SK2912 Détails du produit

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

Features

• Low on-resistance

RDS= 15 mΩtyp.

• High speed switching

• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source

Numéro de pièce similaire - 2SK2912

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Hitachi Semiconductor	2SK2912	53Kb / 10P	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
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Hitachi Semiconductor	2SK2912S	53Kb / 10P	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Inchange Semiconductor ...	2SK2912S	399Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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