2SJ550 Fiches technique(PDF)

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2SJ550 Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

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Silicon P Channel MOS FET

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2SJ550 Détails du produit

Description

High speed power switching

Features

• Low on-resistance

RDS (on) = 0.075 Ω typ.

• Low drive current.

• 4 V gate drive devices.

• High speed switching.

Numéro de pièce similaire - 2SJ550

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Hitachi Semiconductor	2SJ550	56Kb / 9P	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
VBsemi Electronics Co.,...	2SJ550	941Kb / 7P	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET
Renesas Technology Corp	2SJ550(L)	115Kb / 11P	Silicon P Channel MOS FET
Hitachi Semiconductor	2SJ550L	56Kb / 9P	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
Hitachi Semiconductor	2SJ550S	56Kb / 9P	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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