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STP16NS25FP Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STP16NS25FP Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STP16NS25FP
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Taille du fichier   330.67 Kbytes
Page   9 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-CHANNEL 250V - 0.23ohm - 16A TO-220 / TO-220FP MESH OVERLAY™ MOSFET

STP16NS25FP Datasheet (PDF)

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STP16NS25FP Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STP16NS25FP
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-CHANNEL 250V - 0.23ohm - 16A TO-220 / TO-220FP MESH OVERLAY™ MOSFET

STP16NS25FP Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STP16NS25FP Détails du produit

DESCRIPTION

Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performance. The new patented STrip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, makes it suitable in coverters for lighting applications.



■ TYPICAL RDS(on) = 0.23 Ω

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ 100% AVALANCHE TESTED



APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

■ DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM, INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT

■ IDEAL FOR MONITOR’s B+ FUNCTION



 




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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