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STP11NM60FP Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STP11NM60FP Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STP11NM60FP
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Taille du fichier   548.57 Kbytes
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh™ Power MOSFET

STP11NM60FP Datasheet (PDF)

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STP11NM60FP Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STP11NM60FP
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
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Description N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh™ Power MOSFET

STP11NM60FP Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STP11NM60FP Détails du produit

Description

The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the Company’s PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the Company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition’s products.



General features

■ High dv/dt and avalanche capabilities

■ 100% avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance



Applications

■ Switching application



 




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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