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STH315N10F7-6 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STH315N10F7-6 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STH315N10F7-6
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Taille du fichier   797.9 Kbytes
Page   16 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mΩ typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFETs in an H²PAK‑2 and H²PAK‑6 packages

STH315N10F7-6 Datasheet (PDF)

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STH315N10F7-6 Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STH315N10F7-6
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mΩ typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFETs in an H²PAK‑2 and H²PAK‑6 packages

STH315N10F7-6 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STH315N10F7-6 Détails du produit

Features
• AEC-Q101 qualified
• Among the lowest RDS(on) on the market
• Excellent FoM (figure of merit)
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
• High avalanche ruggedness

Applications
• Switching applications

Description
These N-channel Power MOSFETs utilize STripFET F7 technology with an enhanced
trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing
internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.




Numéro de pièce similaire - STH315N10F7-6

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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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