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IXTH102N15T Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

IXTH102N15T Datasheet PDF - IXYS Corporation
No de pièce IXTH102N15T
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Taille du fichier   240.24 Kbytes
Page   8 Pages
Fabricant  IXYS [IXYS Corporation]
Site Internet  http://www.ixys.com
Logo IXYS - IXYS Corporation
Description Trench Gate Power MOSFETs

IXTH102N15T Datasheet (PDF)

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IXTH102N15T Datasheet PDF - IXYS Corporation

No de pièce IXTH102N15T
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Fabricant  IXYS [IXYS Corporation]
Site Internet  http://www.ixys.com
Logo IXYS - IXYS Corporation
Description Trench Gate Power MOSFETs

IXTH102N15T Fiches technique (HTML) - IXYS Corporation




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À propos de IXYS Corporation


Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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