TW015N120C Fiches technique(PDF)

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TW015N120C Fiches technique (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

TW015N120C Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited


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isc N-Channel MOSFET Transistor

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Description	isc N-Channel MOSFET Transistor

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TW015N120C Datasheet HTML 1Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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TW015N120C Détails du produit

FEATURES
· Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃
· Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min)
· Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 20mΩ(Max)@VGS= 18V
DESCRIPTION
· Switching Voltage Regulators

Numéro de pièce similaire - TW015N120C

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Toshiba Semiconductor	TW015N120C	528Kb / 10P	MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS 2022-06-15 Rev.2.0
Toshiba Semiconductor	TW015N120CS1F	528Kb / 10P	MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS 2022-06-15 Rev.2.0

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À propos de Inchange Semiconductor Company Limited

Inchange Semiconductor Company Limited est une société chinoise de semi-conducteurs fondée en 1997.

La société fournit une large gamme de produits, notamment des dispositifs d'énergie discrets et analogiques et des diodes pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Inchange est connu pour son accent sur la qualité et la fiabilité, et ses produits sont largement utilisés dans la gestion de l'alimentation, l'éclairage et d'autres applications.

La société a des opérations dans plusieurs pays et est l'un des principaux fournisseurs de dispositifs d'électricité et de diodes dans la région Asie-Pacifique.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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