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ISL55110EVAL2Z Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp
ISL55110EVAL2Z Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
No de pièce ISL55110EVAL2Z
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Taille du fichier   919.65 Kbytes
Page   19 Pages
Fabricant  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Site Internet  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Description Dual, High Speed MOSFET Driver

ISL55110EVAL2Z Datasheet (PDF)

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ISL55110EVAL2Z Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

No de pièce ISL55110EVAL2Z
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Fabricant  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Site Internet  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Description Dual, High Speed MOSFET Driver

ISL55110EVAL2Z Fiches technique (HTML) - Renesas Technology Corp


ISL55110EVAL2Z Détails du produit

• 5V to 12V pulse amplitude
• High current drive 3.5A
• 6ns minimum pulse width
• 1.5ns rise and fall times, 100pF load
• Low skew
• 3.3V and 5V logic compatible
• In-phase (ISL55110) and anti-phase outputs (ISL55111)
• Small QFN and TSSOP packaging
• Low quiescent current
• Pb-free (RoHS compliant)




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Renesas Technology Corp		 ISL55110 RENESAS-ISL55110 Datasheet
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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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