VB20120C Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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VB20120C Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

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No de pièce	VB20120C

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Description	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VB20120C Détails du produit

FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Low thermal resistance
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 245 °C (for D2PAK (TO-263AB) package)
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per
JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and
TO-262AA package)
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency converters, switching power
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC
converters and reverse battery protection.

Numéro de pièce similaire - VB20120C

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Inchange Semiconductor ...	VB20120C-E3	315Kb / 2P	Schotty Barrier Diode
Vishay Siliconix	VB20120C-E3/4W	163Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	VB20120C-E3/8W	163Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	VB20120C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 14-May-13
	VB20120C-M3	103Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 19-Jun-2018

Description similaire - VB20120C

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	V30200C	160Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	V40100C	140Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Mar-11
	V40100G	131Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Mar-11
	V40150C	162Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	V50100PW	84Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Feb-10
	VF30120C	78Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 10-Nov-10
	VF40150C	79Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 10-Nov-10
	V30100PW-M3	77Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 09-Feb-10

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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