LET8180 Fiches technique(PDF) - STMicroelectronics

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LET8180 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics

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RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology

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LET8180 Détails du produit

DESCRIPTION
The LET8180 is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1.0 GHz. The LET8180 is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 32 V. Its internal matching makes it ideal for base station applications requiring high linearity.

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETs

• EXCELLENT THERMAL STABILITY
• COMMON SOURCE CONFIGURATION, PUSH-PULL
• POUT = 220 W with 17 dB TYP. gain @ 860 MHz
• BeO FREE PACKAGE
• INTERNAL INPUT MATCHING
• ESD PROTECTION

Numéro de pièce similaire - LET8180

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	LET-AB	1Mb / 6P	IN-LINE WATERTIGHT FUSE HOLDERS Rev: 052720
	LET-AB-S	1Mb / 6P	IN-LINE WATERTIGHT FUSE HOLDERS Rev: 052720

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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

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