3SK324UG Fiches technique(PDF)

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3SK324UG Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

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Fabricant	RENESAS [Renesas Technology Corp]

Site Internet	http://www.renesas.com

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Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier

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Fabricant	RENESAS [Renesas Technology Corp]

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Description	Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier

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3SK324UG Détails du produit

Features

• Low noise characteristics; NF = 1.0 dB typ. (at f = 900 MHz)

• High gain characteristics; PG = 24 dB typ. (at f = 900 MHz)

• Capable low voltage operation; +B = 3.5 V

• High Endurance Voltage; VDS = 6 V

Numéro de pièce similaire - 3SK324UG

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Renesas Technology Corp	3SK324UG	85Kb / 8P	Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier

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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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