FDMS8018 Fiches technique(PDF) - ON Semiconductor

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FDMS8018 Fiches technique (PDF) - ON Semiconductor

FDMS8018 Datasheet PDF - ON Semiconductor


No de pièce	FDMS8018

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Taille du fichier	433.96 Kbytes

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Fabricant	ONSEMI [ON Semiconductor]

Site Internet	http://www.onsemi.com

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N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 175 A, 1.8 mΩ

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Fabricant	ONSEMI [ON Semiconductor]

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Description	N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 175 A, 1.8 mΩ

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FDMS8018 Détails du produit

Features
Max rDS(on) = 1.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 30 A
Max rDS(on) = 2.4 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 26 A
Advanced Package and Silicon Combination for Low rDS(on) and High Efficiency
Next Generation Enhanced Body Diode Technology, Engineered for Soft Recovery
MSL1 Robust Package Design
100% UIL Tested
RoHS Compliant

General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed ang body diode reverse recovery performance.

Applications
VRM Vcore Switching for Desktop and Server
OringFET / Load Switching
DC-DC Conversion
Motor Bridge Switch

Numéro de pièce similaire - FDMS8018

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Fairchild Semiconductor	FDMS8018	318Kb / 7P	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30 V, 120 A, 1.8 m廓
TECH PUBLIC Electronics...	FDMS8018-TP	2Mb / 4P	N-Channel Enhancement MOSFET

Description similaire - FDMS8018

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Fairchild Semiconductor	FDN327N	84Kb / 5P	N-Channel 1.8 Vgs Specified PowerTrench MOSFET
	FDMS8018	318Kb / 7P	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30 V, 120 A, 1.8 m廓
	FDMS3016DC	435Kb / 8P	N-Channel Dual CoolTM PowerTrench MOSFET 30 V, 49 A, 6.0
ON Semiconductor	FDD86369-F085	543Kb / 7P	Channel PowerTrench® MOSFET 80 V, 90 A, 7.9 mΩ August-2017,Rev. 2
	FCPF190N60-F152	1Mb / 10P	N-Channel SuperFET® II MOSFET 600 V, 20.2 A, 199 mΩ September-2017, Rev. 3
	FQA90N15-F109	1Mb / 8P	N-Channel QFET® MOSFET 150 V, 90 A, 18 mΩ September-2017, Rev. 2
Nexperia B.V. All right...	PSMN1R8-30BL	812Kb / 15P	N-channel 30 V, 1.8 mΩ logic level MOSFET in D2PAK Rev. 1 - 22 March 2012
	PSMN1R8-30PL	819Kb / 15P	N-channel 30 V, 1.8 mΩ logic level MOSFET in TO-220 Rev. 02 - 2 November 2010
	PSMN022-30PL	812Kb / 15P	N-channel 30 V 22 mΩ logic level MOSFET Rev. 02 - 1 November 2010
Fairchild Semiconductor	FDMC7200	417Kb / 11P	Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 12 mΩ and 23.5 mΩ Rev.D1 June 2009

À propos de ON Semiconductor

ON Semiconductor est une entreprise cotée en bourse qui conçoit, développe et fabrique une large gamme de produits semi-conducteurs pour une variété d'applications, notamment les marchés automobiles, informatiques, biens de consommation, industriels et communications.
La société a été fondée en 1999 et a son siège à Phoenix, en Arizona.
On Semiconductor offre un large portefeuille de gestion de l'énergie, des semi-conducteurs analogiques et discrets, notamment des MOSFET de puissance, des diodes, des redresseurs, des régulateurs de tension, entre autres.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour être économes en énergie, fiables et rentables et sont utilisés dans une variété d'applications, notamment l'électronique portable, les systèmes d'automatisation industrielle, les systèmes d'énergie renouvelable et l'électronique automobile.
On Semiconductor s'engage dans l'innovation et la satisfaction des clients, et s'engage à fournir les meilleures solutions de semi-conducteurs pour répondre aux besoins de nos clients.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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