AM82223-010 Fiches technique(PDF)

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AM82223-010 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics

AM82223-010 Datasheet PDF - STMicroelectronics


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TELEMETRY APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS

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AM82223-010 Détails du produit

DESCRIPTION
The AM82223-010 is a common base, silicon NPN bipolar transistor designed for high gain and efficiency in the 2.2 − 2.3 GHz frequency range.
Suitable for hi-rel aerospace telemetry applications, the AM82223-010 is provided in the industry-standard AMPAC™ metal/ceramic hermetic package and incorporates internal input and output impedance matching structures along with a rugged, emitter-site ballasted overlay die geometry.
AM82223-010 is capable of withstanding ∞:1 load mismatch at any phase angle under full rated operating conditions.

■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
■ EMITTER SITE BALLASTED
■ ∞:1 VSWR CAPABILITY AT RATED CONDITIONS
■ LOW THERMAL RESISTANCE
■ INPUT/OUTPUT MATCHING
■ OVERLAY GEOMETRY
■ METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
■ POUT = 9 W MIN. WITH 6.5 dB GAIN

Numéro de pièce similaire - AM82223-010

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Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

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