AM2729-110 Fiches technique(PDF)

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AM2729-110 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics

AM2729-110 Datasheet PDF - STMicroelectronics


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S-BAND RADAR APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS

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AM2729-110 Détails du produit

DESCRIPTION
The AM2729-110 device is a high power silicon bipolar NPN transistor specifically designed for SBand radar pulsed output and driver applications.
This device is capable of operation over a wide range of pulse widths, duty cycles and temperatures and can withstand a 3:1 output VSWR. Low RF thermal resistance, refractory/gold metallization, and computerized automatic wire bonding techniques ensure high reliability and product consistency (including phase characteristics).
The AM2729-110 is supplied in the BIGPAC™ Hermetic Metal/Ceramic package with internal Input/Output matching circuitry, and is intended for military and other high reliability applications.

■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
■ EMITTER SITE BALLASTED
■ 3:1 VSWR CAPABILITY
■ LOW THERMAL RESISTANCE
■ INPUT/OUTPUT MATCHING
■ OVERLAY GEOMETRY
■ METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
■ POUT = 105 W MIN. WITH 6.5 dB GAIN

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Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

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