1SS387CT Fiches technique(PDF) - Toshiba Semiconductor

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1SS387CT Fiches technique (PDF) - Toshiba Semiconductor

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Switching Diodes Silicon Epitaxial Planar

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Fabricant	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

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1SS387CT Détails du produit

1. Applications
• Ultra-High-Speed Switching

2. Features
(1) Small package
(2) Low forward voltage: VF(3) = 0.98 V (typ.)
(3) Fast reverse recovery time: trr = 1.6 ns (typ.)
(4) Small total capacitance: Ct = 0.5 pF (typ.)

Numéro de pièce similaire - 1SS387CT

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Toshiba Semiconductor	1SS387CT	216Kb / 4P	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

Description similaire - 1SS387CT

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	BAV99	223Kb / 5P	Switching Diodes Silicon Epitaxial Planar
	TBAV70	201Kb / 5P	Switching Diodes Silicon Epitaxial Planar
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