HS-4424RH Fiches technique(PDF) - Renesas Technology Corp

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HS-4424RH Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

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Fabricant	RENESAS [Renesas Technology Corp]

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Dual, Noninverting Power MOSFET Radiation Hardened Drivers

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Fabricant	RENESAS [Renesas Technology Corp]

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Description	Dual, Noninverting Power MOSFET Radiation Hardened Drivers

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HS-4424RH Détails du produit

Features
• Electrically screened to DLA SMD# 5962-99560
• QML qualified per MIL-PRF-38535 requirements
• Latch-up immune
• Radiation acceptance testing - HS-4424DRH
- High dose rate (50-300rad(Si)/s). . . . . . . . . . . 300krad(Si)
• Radiation acceptance testing - HS-4424DEH
- High dose rate (50-300rad(Si)/s). . . . . . . . . . . 300krad(Si)
- Low dose rate (0.01rad(Si)/s) . . . . . . . . . . . . . 50krad(Si)*
*Limit established by characterization
• IPEAK. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . >2A (minimum)
• Matched rise and fall times (CL = 4300pF). . 75ns (maximum)
• Low voltage lockout feature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . <8V
• Wide supply voltage range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8V to 18V
• Propagation delay . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .250ns (maximum)
• Consistent delay times with VCC changes
• Low power consumption
- 40mW with inputs high
- 20mW with inputs low
• Low equivalent input capacitance . . . . . . . . . . 3.2pF (typical)
• ESD protected. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . >4kV

Numéro de pièce similaire - HS-4424RH

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Intersil Corporation	HS-4424RH	56Kb / 2P	Radiation Hardened Dual, Non-Inverting Power MOSFET Drivers 1999 06
	HS-4424RH	528Kb / 15P	Dual, Noninverting Power MOSFET Radiation Hardened Drivers October 15, 2015
	HS-4424RH	255Kb / 3P	Radiation Hardened Dual, Non-Inverting Power MOSFET Drivers September 24, 2013
Renesas Technology Corp	HS-4424RH	255Kb / 6P	Radiation Hardened Dual, Non-Inverting Power MOSFET Drivers Jun.11.19
Intersil Corporation	HS-4424RH	255Kb / 3P	Radiation Hardened Dual, Non-Inverting Power MOSFET Drivers September 24, 2013

Description similaire - HS-4424RH

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Intersil Corporation	HS-4423RH	56Kb / 2P	Radiation Hardened Dual, Inverting Power MOSFET Drivers 1999 06
Intersil Corporation	HS-4424RH	56Kb / 2P	Radiation Hardened Dual, Non-Inverting Power MOSFET Drivers 1999 06
International Rectifier	IRHM57064	173Kb / 8P	RADIATION HARDENED POWER MOSFET
	IRHMS57260SE	184Kb / 8P	RADIATION HARDENED POWER MOSFET
	IRHM7250SE	140Kb / 8P	RADIATION HARDENED POWER MOSFET
Intersil Corporation	5962F9956004V9A	227Kb / 3P	Radiation Hardened Dual, Non-Inverting Power MOSFET Drivers September 24, 2013
	HS-4423RH	201Kb / 3P	Radiation Hardened Dual, Inverting Power MOSFET Drivers February 11, 2014
	HS-4424DRH	528Kb / 15P	Dual, Noninverting Power MOSFET Radiation Hardened Drivers October 15, 2015
	HS-4424RH	255Kb / 3P	Radiation Hardened Dual, Non-Inverting Power MOSFET Drivers September 24, 2013
Renesas Technology Corp	ISL74422ARH	142Kb / 3P	Radiation Hardened 9A, Non-Inverting Power MOSFET Drivers April 1, 2010

À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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