IXFR24N100 Fiches technique(PDF) - IXYS Corporation

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IXFR24N100 Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

IXFR24N100 Datasheet PDF - IXYS Corporation


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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

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HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM(Electrically Isolated Back Surface)

IXFR24N100 Datasheet (PDF)

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Description	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM(Electrically Isolated Back Surface)

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IXFR24N100 Détails du produit

HiPerFET™ Power MOSFET ISOPLUS247™ (Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

Features
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
    - High power dissipation
    - Isolated mounting surface
    - 2500V electrical isolation
• Low drain to tab capacitance(<30pF)
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Avalanche rated
• Fast intrinsic Rectifier

Applications
• DC-DC converters
• Battery chargers
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• DC choppers
• AC motor drives

Advantages
• Easy assembly
• Space savings
• High power density

Numéro de pièce similaire - IXFR24N100

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Inchange Semiconductor ...	IXFR24N100	330Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor 2023.10.8
IXYS Corporation	IXFR24N100Q3	148Kb / 5P	N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier
IXYS Corporation	IXFR24N100	118Kb / 4P	HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247

Description similaire - IXFR24N100

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXGR24N60C	56Kb / 2P	HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM (Electrically Isolated Back Surface)
	IXFR38N80Q2	568Kb / 5P	Electrically Isolated Back Surface
	IXFR26N50	34Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Back Surface)
	IXFR26N50Q	79Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Back Surface)
	IXFR21N100Q	38Kb / 2P	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM (Electrically Isolated Back Surface)
	IXFL34N100	117Kb / 2P	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS264(Electrically Isolated Backside)
	IXKC15N60C5	119Kb / 4P	Electrically isolated back surface Electrically isolated back surface
	IXGC16N60B2	92Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	DSS20-01AC	121Kb / 4P	Electrically Isolated Back Surface
	DSEE8-06CC	65Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface

À propos de IXYS Corporation

Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

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