IS0-1009RH/SAMPLE Fiches technique(PDF) - Renesas Technology Corp

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IS0-1009RH/SAMPLE Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

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Radiation Hardened 2.5V Reference

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Description	Radiation Hardened 2.5V Reference

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IS0-1009RH/SAMPLE Détails du produit

Features
• Electrically screened to SMD #5962-00523
• QML qualified per MIL-PRF-38535 requirements
• EH version acceptance tested to 50krad(Si) (LDR)
• Radiation environment - IS-1009EH
- High dose rate (50-300rad(Si)/s). . . . . . . . . . . 300 krad(Si)
- Low dose rate (0.01rad(Si)/s) . . . . . . . . . . . . . . 50krad(Si)
• Radiation environment - IS-1009RH
- High dose rate (50-300rad(Si)/s). . . . . . . . . . . 300 krad(Si)
• Latch-up immune. . . . . . . . . . . . . . . . . . dielectrically isolated
• Reverse breakdown voltage (VZ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5V
• Change in VZ vs current (400μA to 10mA). . . . . . . . . . . .6mV
• Change in VZ vs temperature (-55°C to +125°C) . . . . .15mV
• Maximum reverse breakdown current . . . . . . . . . . . . . 20mA
• Device is tested with 10μF shunt capacitance connected
from V+ to V-, which provides optimum stability
• Interchangeable with 1009 and 136 industry types

Numéro de pièce similaire - IS0-1009RH/SAMPLE

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Renesas Technology Corp	IS0-1715AEH-Q	338Kb / 12P	Radiation Hardened Complementary Switch FET Drivers Feb.4.21
	IS0-1715ARH-Q	338Kb / 12P	Radiation Hardened Complementary Switch FET Drivers Feb.4.21
	IS0-1715ARH/SAMPLE	338Kb / 12P	Radiation Hardened Complementary Switch FET Drivers Feb.4.21
Intersil Corporation	IS0-1825ASRH-Q	69Kb / 3P	Single Event and Total Dose Hardened, High-Speed, Dual Output PWMs September 25, 2008
Intersil Corporation	IS0-1825ASRH/SAMPLE	69Kb / 3P	Single Event and Total Dose Hardened, High-Speed, Dual Output PWMs September 25, 2008

Description similaire - IS0-1009RH/SAMPLE

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Intersil Corporation	IS-1009RH	79Kb / 2P	Radiation Hardened 2.5V Reference September 13, 2005
Intersil Corporation	IS-1009RH	92Kb / 2P	Radiation Hardened 2.5V Reference January 27, 2006
Microsemi Corporation	2N3498	111Kb / 3P	RADIATION HARDENED
Intersil Corporation	ISL71090SEH25	388Kb / 10P	Radiation Hardened Ultra Low Noise, Precision Voltage Reference June 6, 2013
	ISL71090SEH12	408Kb / 10P	Radiation Hardened Ultra Low Noise, Precision Voltage Reference June 26, 2013
	IS2-1009EH-Q	128Kb / 3P	Radiation Hardened 2.5V Reference September 12, 2013
Xilinx, Inc	DS692	1Mb / 41P	Radiation-Hardened
Intersil Corporation	ISL71090SEH50	391Kb / 13P	Radiation Hardened Ultra Low Noise, Precision Voltage Reference March 15, 2016
Renesas Technology Corp	ISL71090SEH25	498Kb / 14P	2.5V Radiation Hardened Ultra Low Noise, Precision Voltage Reference Jan 20, 2022
Renesas Technology Corp	ISL71090SEH50	495Kb / 14P	Radiation Hardened Ultra Low Noise, Precision Voltage Reference May 14, 2021

À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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