STD11NM60N Fiches technique(PDF) - STMicroelectronics

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STD11NM60N Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics

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No de pièce	STD11NM60N

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Fabricant	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Site Internet	http://www.st.com

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N-channel 600V - 0.37Ω - 10A - TO-220/FP- I/I2PAK - DPAK second generation MDmesh??Power MOSFET

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Fabricant	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Site Internet	http://www.st.com

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Description	N-channel 600V - 0.37Ω - 10A - TO-220/FP- I/I2PAK - DPAK second generation MDmesh??Power MOSFET

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STD11NM60N Détails du produit

Description
This series of devices is designed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

Features
■ 100% avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance

Application
■ Switching applications

Numéro de pièce similaire - STD11NM60N

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
STMicroelectronics	STD11NM60N	470Kb / 17P	N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET 14-Nov-2006
	STD11NM60N	623Kb / 21P	N-channel 600 V - 0.37 Ω - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh??Power MOSFET 03-Mar-2008
	STD11NM60N	641Kb / 20P	N-channel 600 V, 0.37 Ω, 10 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, IPAK, DPAK, D2PAK 03-Mar-2009
Inchange Semiconductor ...	STD11NM60N	323Kb / 2P	isc N-Channel Mosfet Transistor
STMicroelectronics	STD11NM60N-1	470Kb / 17P	N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET 14-Nov-2006

Description similaire - STD11NM60N

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
STMicroelectronics	STP20NM60	355Kb / 15P	N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET 17-Feb-2005
	STP25NM60N	273Kb / 12P	N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET 08-Jun-2005
	STB21NM50N	633Kb / 16P	N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET 14-Oct-2005
	STP21NM60N	672Kb / 16P	N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET 26-Oct-2005
	STD11NM60N	470Kb / 17P	N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET 14-Nov-2006
	STB12NM50N	510Kb / 18P	N-channel 500V - 0.29Ω - 11A - TO-220 /FP- D2PAK - DPAK Second generation MDmesh™Power MOSFET 14-Nov-2006
	STB12NM60N	591Kb / 18P	N-channel 600V - 0.35Ω - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET 23-Apr-2007
	STF15NM65N	499Kb / 18P	N-channel 650V - 0.25Ω - 15.5A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET 06-Sep-2007
	STB15NM60N	607Kb / 18P	N-channel 600V - 0.270Ω - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET 03-May-2007
	STP21NM50N	463Kb / 18P	N-channel 500V - 0.15Ω - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET 19-Jan-2007

À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

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