IRFPG40PBF Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRFPG40PBF Fiches technique (PDF) - International Rectifier

IRFPG40PBF Datasheet PDF - International Rectifier


No de pièce	IRFPG40PBF

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(on) = 3.5廓 , ID = 4.3A )

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No de pièce	IRFPG40PBF

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Description	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(on) = 3.5廓 , ID = 4.3A )

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IRFPG40PBF Détails du produit

DESCRIPTION
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the earlier TO-218 package because of its isolated mouting hole. It also provides greater creepage distance between pins to meet the requirements of most safety specifications.

● Dynamic dV/dt Rating
● Repetitive Avalanche Rated
● Isolated Central Mounting Hole
● Fast Switching
● Ease of Paralleling
● Simple Drive Requirements
● Lead-Free

Numéro de pièce similaire - IRFPG40PBF

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	IRFPG40PBF	1Mb / 8P	Power MOSFET 21-Jul-08
Vishay Siliconix	IRFPG40PBF	910Kb / 11P	Power MOSFET 31-Jan-2022

Description similaire - IRFPG40PBF

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRFI9630G	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-4.3A)
	IRFPG40	167Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=3.5ohm, Id=4.3A)
	IRL640PBF	930Kb / 8P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.18廓 , ID = 17A )
	IRLZ34NSPBF	297Kb / 11P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035廓 , ID = 30A )
	IRFP3710PBF	233Kb / 9P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.025廓 , ID = 57A )
	IRFZ48RSPBF	255Kb / 10P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 0.018廓 , ID = 50A )
	IRFD9110PBF	1Mb / 8P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 1.2廓 , ID = -0.70A )
	IRF630PBF	2Mb / 8P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40廓 , ID = 9.0A )
	IRFR420PBF	857Kb / 10P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) = 3.0廓 , ID = 2.4A )
	IRFR9210PBF	1Mb / 10P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -200V , RDS(on) = 3.0廓 , ID = -1.9A )

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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