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STB14NF10 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STB14NF10 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STB14NF10
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Taille du fichier   516.75 Kbytes
Page   16 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 100V - 0.115廓 - 15A - D2PAK/TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET??II Power MOSFET

STB14NF10 Datasheet (PDF)

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STB14NF10 Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STB14NF10
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 100V - 0.115廓 - 15A - D2PAK/TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET??II Power MOSFET

STB14NF10 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics




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FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
logo
STMicroelectronics		 STB14NF10 STMICROELECTRONICS-STB14NF10 Datasheet
464Kb / 11P		 N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 15A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET
June 2002
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STB30NF10 STMICROELECTRONICS-STB30NF10 Datasheet
455Kb / 11P		 N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET
May-2002
STP40NF10 STMICROELECTRONICS-STP40NF10 Datasheet
479Kb / 11P		 N-CHANNEL 100V - 0.024ohm - 50A TO-220/D2PAK/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET
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June 1988
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25-Jan-2007
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09-Aug-2006
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26-Jun-2006
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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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