IRFR9024PBF Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRFR9024PBF Fiches technique (PDF) - International Rectifier

IRFR9024PBF Datasheet PDF - International Rectifier


No de pièce	IRFR9024PBF

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Taille du fichier	1179.72 Kbytes

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(on) = 0.28廓 , ID = -8.8A )

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Description	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(on) = 0.28廓 , ID = -8.8A )

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IRFR9024PBF Détails du produit

Description
Third Generation HEXFETs MOSFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effictiveness.

• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Surface Mount (IRFR9024)
• Straight Lead (IRFU9024)
• Available in Tape & Reel
• P-Channel
• Fast Switching
• Lead-Free

Numéro de pièce similaire - IRFR9024PBF

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	IRFR9024PBF	1Mb / 8P	Power MOSFET S-81377-Rev. A, 30-Jun-08
Kersemi Electronic Co.,...	IRFR9024PBF	4Mb / 7P	Power MOSFET
	IRFR9024PBF	4Mb / 7P	Power MOSFET
	IRFR9024PBF	5Mb / 7P	Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRFR9024PBF	1Mb / 13P	Power MOSFET 01-Jan-2022

Description similaire - IRFR9024PBF

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRFR9024	173Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A)
	IRFZ48RSPBF	255Kb / 10P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 0.018廓 , ID = 50A )
	IRF9Z14PBF	257Kb / 8P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(on) = 0.50廓 , ID = -6.7A )
	IRFZ48PBF	3Mb / 7P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 0.018廓 , ID = 50A )
	IRFP440	164Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.8A)
	IRFP3710PBF	233Kb / 9P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.025廓 , ID = 57A )
	IRFD9110PBF	1Mb / 8P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 1.2廓 , ID = -0.70A )
	IRL640PBF	930Kb / 8P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.18廓 , ID = 17A )
	IRF630PBF	2Mb / 8P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40廓 , ID = 9.0A )
	IRFR9210PBF	1Mb / 10P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -200V , RDS(on) = 3.0廓 , ID = -1.9A )

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

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