IRFR9024NPBF Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRFR9024NPBF Fiches technique (PDF) - International Rectifier

IRFR9024NPBF Datasheet PDF - International Rectifier


No de pièce	IRFR9024NPBF

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175廓 , ID = -11A )

IRFR9024NPBF Datasheet (PDF)

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Description	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175廓 , ID = -11A )

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IRFR9024NPBF Détails du produit

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Ultra Low On-Resistance
● P-Channel
● Surface Mount (IRFR9024N)
● Straight Lead (IRFU9024N)
● Advanced Process Technology
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Lead-Free

Numéro de pièce similaire - IRFR9024NPBF

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Kersemi Electronic Co.,...	IRFR9024NPBF	4Mb / 10P	ULTRA LOW ON-ORSISTANCE
International Rectifier	IRFR9024NPBF	1Mb / 11P	Ultra Low On-Resistance
Kersemi Electronic Co.,...	IRFR9024NPBF	4Mb / 10P	ULTRA LOW ON-RESISTANCE
International Rectifier	IRFR9024NPBF	1Mb / 11P	Ultra Low On-Resistance
International Rectifier	IRFR9024NPBF	1Mb / 11P	ULTRA LOW ON RESISTANCE

Description similaire - IRFR9024NPBF

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRFRU9024N	117Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A)
	IRLZ34NSPBF	297Kb / 11P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035廓 , ID = 30A )
	IRLR014NPBF	281Kb / 11P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.14廓 , ID = 10A )
	IRLL2705PBF	220Kb / 9P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.04廓 , ID = 3.8A )
	IRFR5305PBF	248Kb / 11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.065廓 , ID = -31A )
	IRF1405ZS-7PPBF	696Kb / 12P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9m廓 , ID = 120A )
	IRF1405ZPBF	812Kb / 13P	AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9m廓 , ID = 75A )
	IRLZ44ZPBF	362Kb / 13P	AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5m廓 , ID = 51A)
	IRFZ46N	190Kb / 9P	HEXFET짰 Power MOSFET(VDSS = 55V,RDS(on) = 16.5m廓,ID = 53A)
	IRFZ44ZPBF	291Kb / 13P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 13.9m廓 , ID = 51A )

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

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