IXTH1N200P3 Fiches technique(PDF)

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IXTH1N200P3 Fiches technique (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

IXTH1N200P3 Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited


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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

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N-Channel MOSFET Transistor

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Description	N-Channel MOSFET Transistor

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IXTH1N200P3 Datasheet HTML 1Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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IXTH1N200P3 Détails du produit

FEATURES
· Drain Current -ID= 1.0A@ TC=25℃
· Drain Source Voltage -VDSS= 2000V(Min)
· Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 40Ω(Max)@VGS= 10V
APPLICATIONS
·High Voltage Power Supplies
·Capacitor Discharge
·Pulse Circuits

Numéro de pièce similaire - IXTH1N200P3

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXTH1N200P3	268Kb / 5P	N-Channel Enhancement Mode
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À propos de Inchange Semiconductor Company Limited

Inchange Semiconductor Company Limited est une société chinoise de semi-conducteurs fondée en 1997.

La société fournit une large gamme de produits, notamment des dispositifs d'énergie discrets et analogiques et des diodes pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Inchange est connu pour son accent sur la qualité et la fiabilité, et ses produits sont largement utilisés dans la gestion de l'alimentation, l'éclairage et d'autres applications.

La société a des opérations dans plusieurs pays et est l'un des principaux fournisseurs de dispositifs d'électricité et de diodes dans la région Asie-Pacifique.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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